• microsd卡是内存卡吗?micros express 导入nvme驱动传输介面

    2019-03-02 09:03

    导读: 在2019年2月底于西班牙巴塞隆纳的MWC世界行动通讯(Mobile World Congress)大会中,SD协会发表了SD 7.1规范以及microSD Express,它最大的特色就是在microSD尺寸的记忆卡导入PCIe介面与NVMe协定,并与传统microSD向下相容,兼顾传输效能与相容性。 microSD
    在2019年2月底于西班牙巴塞隆纳的MWC世界行动通讯(Mobile World Congress)大会中,SD协会发表了SD 7.1规范以及microSD Express,它最大的特色就是在microSD尺寸的记忆卡导入PCIe介面与NVMe协定,并与传统microSD向下相容,兼顾传输效能与相容性。
     
    microSD Express与先前在SD 7.0规范中定义的SD Express一样,都是藉由PCIe介面带来最高985MB/s的资料传输速度,并透过NVMe协定强化记忆卡存取机制,而尺寸更小的microSD Express能应用于智慧型手机、平板电脑等行动装置,将可带来固态硬碟等级的效能与使用体验,藉由出色的传输效能,满足游戏、VR、多通道IoT装置、车用电脑、高画质行车记录器、360度摄影机等使用情境的需求。
     
    采用向下相容的新脚针规范
     
    SD Express、microSD Express在记忆卡的尺寸方面,皆与传统SD、microSD相同,至于脚针配置方面,SD Express与SD UHS-II相同,而microSD仅有上排脚针与microSD相同,下排的脚针虽然与microSD UHS-II相近,但是脚针的长度较短且位置稍微上移。
     
    两者皆采用PCIe 3.1与NVMe v1.3等规范,并采用UHS-II的下排脚针传送PCIe差分讯号,而REFCLK、CLKREQ#、PERRST#等讯号则使用上排脚针。
     
    无论是SD Express或microSD Express,其上排脚针都能相容UHS-I,因此可以直?#30828;?#20837;传统装置或读卡机使用,但是两者都不相容UHS-II。
     
    SD Express、microSD Express的初始化过程皆为弹性可变的,主控端可以采用传统SD介面或是PCIe介面对记忆卡进行初始化,但SD协会强列建议采用前者,以利确认容量、记忆卡状态等资讯。
    当记忆卡连至PCIe与NVMe主控端后,就会被?#28216;?#26631;准NVMe装置(Stander NVMe device),并列在「大量储存控制器-> 固态硬碟控制器-> NVM Express装置」底下,能够透过标准的NVMe驱动程式存取记忆卡。
     
    至于传统SD的密码锁、防写开关等功能,也可以透过NVMe v1.3规范来达成相容,让使用者可以透过密码保护记忆卡,PCIe、NVMe介面都会因此无法存取内部资料,或是将防写开关切换至唯读状态?#20445;?#36991;免资料被写入记忆卡。
     
    目前SD 7.0与SD 7.1规范在电力供应的定义方面,让SD Express、microSD Express除了支援传统3.3V,还支援1.8V电压输入,能够达到省电的效果。
     
    SD协会也指出预计在未来推出的规范中导入1.2V电压输入,但会透过全新的脚针(SD Express的#18、microSD Express的#17)达成,能够进一步对电力消耗与效能进行最佳化。
     
     
    导入先进存取机制
     
    PCIe与NVMe具有多种能够增加存取效能的通讯协定与机制,SD Express、microSD Express也导入了Bus mastering、Multi Queue、Host Memory Buffer等机制,让资料存取更?#34892;省?/samp>
     
    Bus mastering也称为第一方DMA(First-Party Direct Memory Access),能让系统中各装置直接存取记忆卡中的资料。举例来说,当行动装置要下载资料并写入记忆卡?#20445;?#25968;据机可以直接将存取需求传送至记忆卡,而不需处理器介入处理,如此一来除了能?#32435;?#23384;取延迟之外,因为过程不需要应用处理器(Application Processor)的协助,因此应用处理器能维持在低功耗状态,发挥降低系统资源占用与节省整体耗电量的效果。
     
    Multi Queue也是NVMe的特殊功能之一,能够在记忆体中为每个处理器核心配置专属的存取命令伫列,解决了传统协定中只能在主控端拥有1个存取命令伫列的问题,能够避免主控端成为效能瓶颈。
     
    Host Memory Buffer(以下简称HMB)则是能让记忆卡不需自行搭载缓冲记忆体的技术,其概念与无DRAM(DRAMLess)的故态硬碟相近。
     
    在高速存取的硬体架构中,控制器往往需要缓冲记忆体等额外资源,?#27426;?#23884;入于记忆卡的SRAM成?#39048;?#20027;记忆体采用的DRAM高出许多,因此会影响到记忆卡的价格。 HMB是PCIe与NVMe的原生功能,能够在系统的主记忆体切出1块缓冲区供记忆卡使用(缓冲区容量由主控端决定),如此一来就能省下记忆卡上的SRAM,在效能与成本之间取得更理想的平衡。
     
    SD协会也在SD 7.1白皮书提到,在记忆卡效能越来越高的情况下,主记忆体与记忆卡的关系也变得更具弹行,除了可以透过主记忆体作为缓冲区,省下记忆卡的SRAM元件外,还能反过来将记忆卡作为?#30001;?#30340;主记忆体,把高速的SD Express、microSD Express当作系统资源,节省主记忆体使用量。
     
    标?#23601;及?#20445;留前朝设计
     
    由于SD Express、microSD Express具有向下相容功能,因此在记忆卡上是会除了会标示「Express」或简写的「Ex」之外,还会标示当插入传统SD、microSD等SD UHS-I规范的装置与读卡机?#20445;?#20250;以「HC」、「XC」或「UC?#39038;?#24230;运作。
     
    如果要发挥SD Express、microSD Express记忆卡的最佳效能,就需要搭配支援的装置或读卡机。由于SD Express、microSD Express的向下相容只支援SD UHS-I规范,因此无论插入SD UHS-I、UHS-II或UHS-III装置或读卡机,最高传输速度都被限制在SD UHS- I的104MB/s。
     
    虽然目前的记忆卡存取速度还没办法触及SD Express、microSD Express?#32435;?#38480;,但随着快闪记忆体的技术提升,或许不用多久就会冲破传统规范的限制,因此提早制定规格更高的规范势在必行。另一方面,导入PCIe、NVMe不但能提升传输速度上限,也能透过先进的存取机制降低延迟,对于小档存取的效能表现有正面帮助。
     
    接下来我们需要观察的重点之一,就是microSD Express是否能在智慧型手机、平板电脑等行动装置上普及,以及它的价格是否能落在一般消费者能接受的区间。

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